Hissə nömrəsi :
SI7888DP-T1-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
9.4A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 5V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
-
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
1.8W (Ta)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PowerPAK® SO-8
Paket / Case :
PowerPAK® SO-8